200 mm SiC外延炉及同质外延工艺研究

摘要：

目前SiC产业正由150 mm(6英寸)向200 mm(8英寸)转型,为满足行业对大尺寸、高质量SiC同质外延片的迫切需求,采用自主研制的200 mmSiC外延生长设备在国产衬底上成功制备出150 mm、200 mm 4H-SiC同质外延片,并开发了适用于150 mm及200 mm的同质外延工艺,其中外延生长速率可大于60μm/h,在满足高速外延的同时,外延片质量优异,其中150 mm、200 mm SiC外延片厚度均匀性都可控制在1.5％以内,浓度均匀性均小于3％,致命缺陷密度小于0.3颗/cm2,外延表面粗糙度均方根Ra小于0.15 nm,各核心工艺指标均处于行业先进水平.

关键词：碳化硅、200 mm外延炉、化学气相沉积、同质外延

所属期刊栏目：53

分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：湖南省科技重大专项十大技术攻关项目2023GK1020

在线出版日期：2024-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：11-16,29