氧化镓材料及其制备方法与工艺现状

摘要：

超宽禁带半导体材料-Ga2O3性能优越、制造成本低,在日盲紫外探测、电力电子器件、射频器件等领域优势明显.Ga2O3晶体及外延生长方面,日本拥有Novel Crystal Technology(NCT)和Flosfia两家可商业化量产的公司.NCT公司能采用导模法和垂直布里奇曼法生产150 mm(6英寸)单晶氧化镓.外延层生长方面,目前卤化物气相外延、雾滴-化学气相沉积技术均已实现100 mm(4英寸)外延片的量产.国内氧化镓晶体生长及外延层制备已有布局,并已掌握了导模法制备150 mm β-Ga2O3晶体生长以及HVPE法同质外延100 mm晶圆技术,镓仁半导体采用铸造法制备了150 mm非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶及衬底,但国内量产水平偏低.

关键词：氧化镓、晶体生长、外延生长

所属期刊栏目：53

分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：湖南省科技重大专项十大技术攻关项目2023GK1020

在线出版日期：2024-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：1-10,35