高性能分子束外延用束源炉的研制

摘要：

介绍了国产分子束外延设备的最新研制进展,自主设计制造的标准束源炉、掺杂束源炉、砷阀控裂解源、磷阀控裂解源最高工作温度1 300 ℃,控温精度优于±0.1 ℃,温度稳定性优于±0.1 ℃.并采用专利技术一种坩埚可伸缩的束源炉实现在不破坏生长室真空环境的前提下补充源料,有效减少停机时间,提高工艺效率.

关键词：分子束外延、束源炉、阀控裂解源、可伸缩源

所属期刊栏目：52

分类号：TN304.05(半导体技术)

在线出版日期：2023-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-37,45