端部离子源提升SiC器件金属膜层结合牢固度的研究

摘要：

介绍了端部离子源的工作原理,分析了SiC功率器件金属膜层脱落的原因,针对SiC器件金属膜层脱落问题,提出了一种表征金属膜层结合牢固度的方法.采用端部离子源对金属膜层进行碳清除实验,发现当SiO2介质清铣厚度超过10 nm时,金属膜层结合牢固度可靠,可满足工艺需求.

关键词：端部离子源、金属膜层结合牢固度、碳清除

所属期刊栏目：52

分类号：TN305.8(半导体技术)

在线出版日期：2023-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：31-34