CMP工艺晶圆表面颗粒去除问题的研究

摘要：

CMP之后晶圆表面颗粒数目是CMP工艺的一项关键指标.针对Si CMP之后的清洗效果,分析了晶圆表面亲疏水性、清洗液浓度方面对清洗效果的影响.结果表明通过一定浓度的清洗液清洗抛光之后晶圆能取得较好的表面颗粒数量,满足工艺需求.

关键词：化学机械平坦化(CMP)、清洗液、颗粒度

所属期刊栏目：52

分类号：TN305.97(半导体技术)

在线出版日期：2023-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：28-30,64