100mm InP晶圆临时键合解键合工艺技术

摘要：

InP基阵列近红外焦平面探测器的研发是近年来的热点,其器件性能的提升主要依赖于化合物半导体InP芯片的工艺优化.针对超薄InP晶圆在减薄抛光工艺过程中容易出现的形变、碎裂、损伤等问题,设计了一种临时键合及解键合工艺技术.结果表明,该技术成功实现了表面具有微观结构的超薄 100 mm(4 英寸)InP 晶圆的临时键合及解键合,有效解决了减薄生产中碎片的问题,对芯片工艺优化具有重要的指导意义.

关键词：临时键合工艺、解键合工艺、磷化铟(InP)

所属期刊栏目：52

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2023-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：7-13