高深宽比的TSV镀铜工艺技术研究

摘要：

镀铜填充时,形成空洞或缝隙都将导致芯片严重的可靠性问题,从设备能力和电镀药液两个方面分析了对镀铜填充效果的影响,并在孔径10μm、深宽比10:1的硅通孔内进行工艺验证.结果表明:镀前预湿处理、镀液快速搅拌、电场均匀分布、镀液添加剂的浓度及配比等4个方面对实现硅通孔无缺陷填充起了决定性作用.

关键词：硅通孔、高深宽比、镀铜填充

所属期刊栏目：51

分类号：TQ153.1

在线出版日期：2023-01-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：43-46