期刊专题

10.3969/j.issn.1004-4507.2022.05.007

硅单晶测试参数的差异分析

引用
为实现对单晶参数的综合分析,指导单晶制备,迫切需要分析各单晶参数之间的关联性.采用统计分析方法,针对N<111>轻掺P单晶进行了差异分析,发现寿命与电阻率呈显著负相关,旋涡情况与寿命、电阻率不均性相关性不显著.对N<111>重掺As单晶进行了差异分析,发现单晶段部位与氧含量显著相关,氧含量与径向电阻率变化显著相关.

硅单晶、假设检验、少子寿命、径向电阻率变化、氧含量

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TH89

2023-01-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

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电子工业专用设备

1004-4507

62-1077/TN

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2022,51(5)

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