光刻掩模版的低温气溶胶清洗探究

摘要：

介绍了CO2低温气溶胶干洗技术的机理和清洗效果.描述了基于动量传递的颗粒去除理论模型,验证了亚微米颗粒的去除效率高于较大颗粒.用Si3N4颗粒在硅片上的实验结果表明,亚微米颗粒的去除率比30μm以下的较大颗粒高10％.介绍了该技术在光刻掩模版清洗中去除各种污染颗粒的实验结果.光刻掩模版的机械修复后清洁结果表明,石英颗粒被有效去除,而不会损坏相邻图形的线条.无机污染物,如硫酸铵,通过低温气溶胶清洗去除,效率达到99％,如使用光学检测工具所见.通过多次清洗测量清洗对掩模相位和透射的影响.结果表明,在16次清洗循环中,传动比变化为0.04％,相位变化为0.37°.因此,可以使用CO2低温气溶胶可以对来自掩模版的亚微米颗粒进行非侵入性清洁.

关键词：CO2气溶胶、修复后清洁、光刻掩模版、颗粒去除、相位和传输变化

所属期刊栏目：51

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2022-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：28-33