10.3969/j.issn.1004-4507.2021.02.011
一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法
为了查找影响MEMS(微机电系统)器件缺陷的关键因素,通过模拟键合硅片的加工工艺开展了实验,探索出一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法.结果表明这种检验方法可以提前判断硅单晶是否可用于MEMS体硅工艺,对工业化生产具有很好的指导借鉴作用.
微机电系统、单晶缺陷、检验方法
50
TN307(半导体技术)
2021-05-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
43-45
10.3969/j.issn.1004-4507.2021.02.011
微机电系统、单晶缺陷、检验方法
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TN307(半导体技术)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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