背面减薄工艺对InP芯片成品率的影响

摘要：

半导体晶圆背面减薄工艺包含临时键合、研磨、解键合、薄片清洗4个步骤.工艺应力损伤使芯片性能劣化甚至失效,成为大光敏区型InP基探测器芯片的工艺瓶颈,须加以解决.将4个主要步骤分别优化,通过降低键合压力、减少研磨损伤层、保护胶隔绝污染、剥离保护胶摈弃刷洗,使芯片成品率从30％提高到95％以上(芯片尺寸φ1000μm).经过多批次流片验证了此方法的正确性和稳定性,对阵列型芯片研制的成品率意义重大,对企业节省生产成本有积极影响.

关键词：背面减薄工艺、降低应力、临时键合、InP基光电探测器

所属期刊栏目：49

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2020-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：17-22