原子级工艺实现纳米级图形结构的要求

摘要：

原子层刻蚀和沉积工艺利用自限性反应,提供原子级控制.潘阳博士分享了他对这个话题的看法.
技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严格的控制.最先进的工艺现在可以达到仅7 nm的fin宽度,比30个硅原子稍大一点.半导体制造已经跨越了从纳米级到原子级工艺的门槛.工程师现在必须关注结构的尺寸变化(仅相当于几个原子大小).由于多重图案模式等复杂集成增加了工艺数量,进一步限制了每个步骤允许的变化.3D NAND和finFET结构的复杂性会带来更高挑战.

所属期刊栏目：49

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2020-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：50-53