晶圆减薄抛光工艺对芯片强度影响的研究

摘要：

论述了芯片封装工艺中的减薄、抛光工艺对芯片强度的影响,通过三点弯曲强度测试方法,分析对比减薄工艺以及在减薄后进行化学机械抛光(CMP)和干式抛光(DP)消除应力后芯片强度的分布.实验表明,晶圆减薄磨削后,对背面磨削面进行去应力抛光,会获得比较高的芯片强度.

关键词：减薄、芯片强度、应力去除、化学机械抛光、干式抛光

所属期刊栏目：49

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2020-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-15,22