太阳能电池用原子层沉积超薄氧化硅技术研究

摘要：

从高效太阳能电池结构要求出发,分析了超薄氧化层的作用,在自研设备的基础上,采用强氧化性的O2等离子体与硅前驱体进行了PEALD沉积研究.在源瓶温度80℃、沉积温度200℃的工艺条件下,薄膜单循环沉积速率达到0.12 nm.对沉积的氧化硅进行致密性HF腐蚀测试,腐蚀速率为4.8 nm/min.薄膜致密性已接近热氧化法制备的氧化硅薄膜.

关键词：太阳能电池、原子层沉积、超薄薄膜、氧化硅

所属期刊栏目：49

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2020-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-4,12