10.3969/j.issn.1004-4507.2020.02.006
硅片CMP颗粒度的几个影响因素研究
颗粒度是CMP工艺的重要指标.针对CMP的几个工艺参数进行实验,获得了各参数对硅片CMP后颗粒度的影响.
硅片、化学机械抛光(CMP)、颗粒度
49
TN305.2(半导体技术)
2020-05-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
27-28,68
10.3969/j.issn.1004-4507.2020.02.006
硅片、化学机械抛光(CMP)、颗粒度
49
TN305.2(半导体技术)
2020-05-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
27-28,68
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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