3DNAND闪存制造所面临的硅晶圆斜面缺陷挑战和解决方案

摘要：

随着芯片尺寸不断缩小,3D NAND闪存的工艺整合复杂度越来越大,由于堆栈沉积层数增加、晶圆中心到边缘的厚度差异增大等原因,其可能产生的缺陷也越来越多.目前,业内人士正在尝试降低晶圆边缘的缺陷密度,以提高晶圆的整体良率.为了提高良率,常见的晶圆斜面缺陷,例如剥落(或分层)、颗粒污染、电弧和微屏蔽等,是工程师关注的重点.下面,我们将详细说明上述缺陷,并探讨避免这些缺陷产生的方法.

机标关键词：闪存、制造、硅晶圆、面缺陷、解决方案、NAND Flash、芯片尺寸、缺陷密度、颗粒污染、工艺整合、边缘、厚度差、工程师、复杂度、沉积层、中心、屏蔽、分层、方法、堆栈

所属期刊栏目：48

分类号：TN948.43

在线出版日期：2020-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：16-18