LPCVD法淀积SiO2薄膜的影响因素分析

摘要：

通过低压力化学气相沉积(LPCVD)法生长SiO2薄膜炉膛内部温度分布、TEOS源温度设置、炉内压力以及待生长硅片在炉膛内摆放位置等工艺条件变化对所生长薄膜质量的影响进行了多方面的分析,总结出工艺条件与SiO2薄膜淀积速率、片内和片间均匀性以及批量生产成本的关系,得出了最佳工艺路线,实现批次化生产中既能保证工艺的稳定,又最大化地降低生产成本.并通过调整工艺和加强设备维修保养等手段解决了LPCVD法生长SiO2薄膜后的抛光片容易产生颗粒的问题,使硅抛光片实现了开盒即用.

关键词：低压力化学气相沉积法、薄膜、淀积、正硅酸乙酯源

所属期刊栏目：48

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2020-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：9-12