硅单晶片化学腐蚀坑深控制的研究

摘要：

介绍了硅单晶化学腐蚀片及其应用,指出了应用于TVS分立器件的硅衬底化学腐蚀片的表面质量要求,即要求硅腐蚀片坑深控制在3μm以下.研究了腐蚀前硅片的表面质量与化学腐蚀工艺对硅单晶化学腐蚀片表面质量的影响,并给出了满足衬底要求的加工工艺.

关键词：硅单晶化学腐蚀片、研磨粒径、各项异性刻蚀、腐蚀坑深

所属期刊栏目：48

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2019-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：10-12,20