CMP抛光压力校准的研究与应用

摘要：

抛光压力是影响化学机械抛光(CMP)效果的重要参数之一,为了更精准地控制抛光头加载压力和实时监测压力,通过分析压力加载和获取的方法,应用最小二乘法对压力进行校准,在实际加工中取得了理想的效果,实现了更好的工艺性能.

关键词：化学机械抛光、抛光压力校准、精准控制、实时监测

所属期刊栏目：48

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2019-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：29-31