氧化铝钝化膜沉积工艺研究

摘要：

采用平板式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,开展氧化铝(Al2O3)薄膜沉积工艺的研究.通过在p型单晶硅片背表面沉积Al2O3和氮化硅(SiNx)薄膜,形成Al2O3/SiNx叠层钝化膜,研究了Al2O3薄膜沉积工艺中加热温度、工艺传送速度、微波功率、三甲基铝(TMA)流量等工艺参数对钝化效果的影响,得到了最佳的工艺参数:加热温度350℃、工艺传送速度240 cm/min、微波功率521W、TMA流量600 mg/min.在该工艺条件下进行Al2O3/SiNx叠层钝化膜的沉积,测试硅片的平均少子寿命达到335.7μs.在此基础上进行PERC电池生产,电池转换效率达到21.876％.

关键词：光伏装备、沉积工艺、氧化铝薄膜、少子寿命

所属期刊栏目：48

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2019-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：17-20