基于TSV技术的CMP工艺优化研究

摘要：

TSV技术是实现集成电路3D封装互连、降低RC延迟和信号干扰、改善芯片传输速度及功耗的有效方法.基于TSV技术的CMP工艺主要用于通孔大马士革铜工艺淀积后的正面抛光和晶圆背面TSV结构的暴露及平坦化工艺,分步抛光工艺匹配技术具有去除速率高、抛光时间可控、碎片风险小、选择比低、凹陷及凸起缺陷少等特点,铜的去除率大于1 000 nm/min,铜凹陷小于15 nm,平坦化表面粗糙度小于1nm,表面不均匀度小于5％,可满足TSV工艺技术中晶圆表面的平坦化需求.

关键词：硅通孔技术、化学机械平坦化、通孔、工艺匹配

所属期刊栏目：48

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2019-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-4,64