10.3969/j.issn.1004-4507.2019.03.005
硅晶片激光标识工艺参数的研究
介绍了应用于硅晶片激光标识的激光打标系统结构,并以光纤振镜式激光打标机为例,探索了不同打标工艺参数的选择对晶片激光标识效果的影响.采用单因素实验法分别研究了不同激光打标功率、打标速度和打标频率对硅片打标效果的影响,并分析了其影响其打标效果的原理.通过目检和金相显微镜对激光标识进行观察,确定了最佳的打标工艺,最终得到了优化的打标工艺即采用激光额定功率的45%,频率为25 kHz,打标速度为150 mm/s,可得到标识清楚、深浅一致、不损伤晶片特性的激光标识.
激光标识、激光功率、频率、打标速度
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TN305(半导体技术)
2019-07-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
17-19,59