10.3969/j.issn.1004-4507.2018.05.011
硅晶片电阻率测量技术的研究
分析了硅晶片电阻率测试的重要性并介绍了国内外常用的电阻率测试方法,并对使用最广泛的工艺检测手段- 四探针技术的原理、测准条件及发展状况进行了详细的介绍.
硅单晶片、电阻率、四探针测试法
TN307(半导体技术)
2019-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
45-49
10.3969/j.issn.1004-4507.2018.05.011
硅单晶片、电阻率、四探针测试法
TN307(半导体技术)
2019-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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