期刊专题

10.3969/j.issn.1004-4507.2018.05.004

针对20 μm及以下间距的微凸块工艺缺陷检测的研究方法

引用
随着3D 硅通孔(TSV)器件封装技术进入产量提升阶段,3D 堆叠工艺集成流程的表征变得至关重要.为了达到更高的互连密度,微凸块间距的尺寸已经缩小到20 μm 甚至更小.为了实现芯片与芯片以及芯片与晶圆的垂直堆叠,微凸块工艺控制必需具备高精度以及良好的重复性(见图1)[1].

TN305.94(半导体技术)

2019-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

13-15,36

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电子工业专用设备

1004-4507

62-1077/TN

2018,(5)

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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

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