InP单晶材料性能及制备方法

摘要：

介绍了InP单晶材料的特性、应用方向及制备的主要方法,主要包括液封直拉技术(LEC)、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)、垂直梯度凝固技术(VGF)、垂直布里奇曼技术(VB)等.通过对各种生长方法进行对比,指出了各种方法的优势和不足,最后探讨了各类生长方法的应用领域和今后发展方向.

关键词：InP单晶材料、液封直拉法、气压控制直拉法、垂直梯度凝固

分类号：TN304.053(半导体技术)

在线出版日期：2019-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：36-41