SiC单晶片的激光标识技术研究

摘要：

研究了激光的功率、标刻速度、频率等对打标深度的影响,通过多组实验,观察不同参数下,打标效果的变化.确定了激光功率为50％,标刻速度为100 m m/s,频率为20 kH z,脉冲宽度为10μs的工艺参数,有效地改善了碳化硅晶片的标记效果,优化后的激光打标工艺更好地应用于SiC晶片生产加工中.

关键词：碳化硅单晶、激光加工、激光标识

分类号：TN948.43

在线出版日期：2018-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：32-34