期刊专题

10.3969/j.issn.1004-4507.2018.02.006

锗单晶多线切割工艺研究

引用
研究了变速切割及不同环境温度下定速切割对锗片翘曲度的影响.结果表明:锗单晶因其热学性能较差,在切割过程中降低热量导入晶体、提高晶体热量的导出是决定锗晶片翘曲度的重要因素;采用180μm/min定速切割的锗晶片翘曲度要比采用Si单晶与Ge单晶热学工艺变速切割锗片的翘曲度小6~7μm;环境温度越低,热量导出速度越快,切割的锗晶片翘曲度越小,当环境温度为20℃时,180μm/min定速切割的锗晶片翘曲度能达到12.4μm.

翘曲度、锗片、热量控制、环境温度

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TN305(半导体技术)

2018-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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电子工业专用设备

1004-4507

62-1077/TN

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2018,47(2)

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