三维存储芯片堆叠封装技术探研

摘要：

新的3D封装设计能够简化诸如I/O再分布、侧墙绝缘、侧墙互连和封装成形等工艺;采用机械芯片3D封装原型成功地进行了验证,创建了最新设计的三维(3D)存储芯片堆叠封装.3D封装的制造工艺包括:把晶圆切割成为芯片分段;包含侧墙绝缘的芯片钝化;在原始I/O焊盘上的通道开口;从中心焊盘到侧墙的再分配;采用聚合物胶粘剂的裸芯片堆叠技术;侧墙互连技术;焊球粘附.与传统3D封装相比,在此新的3D封装设计中,进行了显著的改进.此新研发封装的特点是:在芯片的I/O再分布之前,完成芯片的侧墙绝缘,这形成了芯片相对于晶圆更高的集成度;以及在随后的制造步骤中显著的工艺简化.按照此设计,可得到与传统晶圆设计相比,芯片对封装面积的比为100％.不会造成邻近芯片的任何损失,这在传统3D封装设计的I/O再分布工艺期间是常常发生的.证明3D堆叠式封装原型的机械完整性,完全满足JEDECⅢ级和85℃/85％试验的各项要求.

关键词：裸芯片堆叠技术、可靠性试验、侧墙绝缘、三维封装技术、垂直互连

所属期刊栏目：47

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2018-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：36-40