碳化硅晶片减薄工艺试验研究

摘要：

研究了用减薄磨削的方式代替碳化硅晶片制片过程中的研磨工序,对线切割后的碳化硅晶片进行磨削试验;对比了减薄和研磨磨削的加工效率,分析了晶片表面粗糙度和晶片厚度变化量.

关键词：碳化硅、研磨、减薄、试验研究

所属期刊栏目：47

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2018-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3-6,24