影响SiC外延生长速率的相关因素探讨

摘要：

研制了水平热壁式外延沉积系统,设计了双加热器温控系统和水平三层流喷淋系统,介绍了温场和流场获得方法.在偏4°的Si面4H-SiC单晶衬底上进行了工艺验证.研究了生长温度、C/Si以及SiH 4流量对SiC外延生长速率的影响,通过主要参数的综合调整,生长出了表面光滑的SiC外延膜.

关键词：三层流喷淋头、4H-SiC、C/Si比、生长速率

所属期刊栏目：46

分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划资助项目2014A A 041401

在线出版日期：2017-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：14-17