锗单晶片边缘损伤影响因素分析

摘要：

新一代太阳电池所需的锗片厚度仅为140μm,在加工过程中更容易出现边缘破损,因此,锗片的边缘质量控制更为迫切.从单晶质量控制、滚圆及参考面制作出发,对锗片边缘质量的影响因素进行了分析,并提出相应的解决措施,提升了超薄锗片的边缘完整性.

关键词：锗、边缘损伤、圆度、晶向偏离度

所属期刊栏目：46

分类号：TN948.43

在线出版日期：2017-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：7-10