10.3969/j.issn.1004-4507.2017.02.002
MEMS湿法工艺对硅衬底性能要求的探讨
通过对比MEMS各向异性腐蚀中硅材料表现出的各类缺陷,研究硅材料性能对腐蚀工艺的影响.研究中发现,硅中原生缺陷是影响腐蚀效果的重要因素,而原生缺陷与晶体初始氧含量密切相关.同时,掺杂原子会造成晶格畸变,继而导致腐蚀缺陷的产生.
硅、各向异性、湿法腐蚀、缺陷
46
TN305.2(半导体技术)
2017-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
4-6,15
10.3969/j.issn.1004-4507.2017.02.002
硅、各向异性、湿法腐蚀、缺陷
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TN305.2(半导体技术)
2017-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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