SiC外延炉加热系统的设计

摘要：

碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率半导体器件.近几年来,随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设备也在不断开发并走向成熟.简要介绍了SiC外延生长设备中加热器的设计方法、温度控制以及温度均匀性调节方法,通过实验验证了温度均匀性及控制精度,较好的满足了SiC外延炉对温度稳定性及高精度控制的要求

关键词：碳化硅、外延生长、加热器、线圈、温度曲线

所属期刊栏目：46

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家高新技术发展计划863计划资助项目2014AA041401

在线出版日期：2017-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：4-7,34