克服内存尺寸缩小中的电阻挑战

摘要：

在内存器件中,欧姆接触(金属与半导体的接触)连接了有源区和金属布线.为了使最多的电荷快速传输过欧姆接触区,必须使用低电阻材料.为此,低电阻率的硅化钴已成为业内标准材料,而其传输电荷的效率则取决于是否能沉积出一层足够厚的硅化钴沉积层,从而形成牢固的欧姆接触区.

机标关键词：内存、尺寸、电阻材料、欧姆接触、接触区、硅化钴、快速传输、金属布线、钴沉积层、电荷、低电阻率、标准材料、有源区、半导体、效率、器件、连接

所属期刊栏目：45

分类号：TP3;F12

在线出版日期：2016-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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