利用缝隙抑制型钨填充接触区工艺来降低良率损失

摘要：

在早先的技术节点中,由于器件尺寸较大,能采用成核及平整化化学气相沉积(CVD)技术进行钨(W)填充.如今,由于插塞处的超小开口很容易发生悬垂现象,因此薄膜表面均匀生长的共形阶段可能在填充完成前就关闭或夹断,从而留下孔洞.即使没有孔洞,由于填充物从侧壁生长,在共形沉积时必然会在中间形成中心缝隙问题.

机标关键词：缝隙、抑制型、填充物、接触区、化学气相沉积、器件尺寸、孔洞、均匀生长、技术、共形、薄膜表面、小开口、平整化、中心、悬垂、节点、成核、插塞、侧壁

所属期刊栏目：45

分类号：K23;F12

在线出版日期：2017-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：43-44