几种典型宽禁带半导体材料的制备及发展现状

摘要：

阐述了SiC、G aN、A lN等几种宽禁带半导体材料的特性、突出优势及其重要应用;并对比分析了目前制备这些半导体材料的主流方法及其各自存在的利与弊;最后讨论了宽禁带半导体材料的发展现状及其存在的挑战.

关键词：碳化硅、氮化镓、宽禁带半导体、器件

所属期刊栏目：45

分类号：TN304.05(半导体技术)

在线出版日期：2017-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23