横向磁场中直拉硅单晶生长

摘要：

直拉法(CzochralskiTechnique)生长硅单晶是目前获得高质量大直径晶体的一种最常用工业化方法,在直拉法生长硅单晶过程中引入磁场可以有效抑制熔体对流,提高电阻率均匀性,控制氧含量、碳含量浓度,改善硅单晶微缺陷,从而获得高质量大直径硅单晶.主要介绍了熔体中的熔体对流、产生原因、磁场抑制熔体对流的原理,并以横向磁场为研究对象,分析了横向磁场的组成结构、工作原理.

关键词：单晶炉、横向磁场、等效微重力

所属期刊栏目：45

分类号：TN304.053(半导体技术)

在线出版日期：2016-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：47-50