SiC 晶片加工技术现状与趋势

摘要：

SiC单晶材料作为第三代半导体衬底材料，在制作高频、大功率电子器件等领域有着广泛的应用前景，而SiC加工技术对制作衬底材料起到决定作用。介绍了SiC国内外加工技术的研究现状，分析和对比了切割、研磨、抛光加工工艺的机理及晶片平整度、粗糙度的变化趋势，并指出SiC单晶片加工过程中存在的问题和未来的发展趋势。

关键词：SiC晶片、加工技术、平整度、粗糙度

分类号：TM23(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金项目61404117；国家高技术研究发展计划863重大专项资助项目2014AA041401；山西省自然科学基金2014011016-8

在线出版日期：2016-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-6,54