10.3969/j.issn.1004-4507.2016.01.004
原子层沉积系统在氮化铝AlN薄膜工艺中的应用
介绍了原子层沉积系统(ALD)的原理、结构,以及它和不同薄膜生长设备相比所具有的特点.分析了影响ALD设备工艺性能的主要因素.在此基础上,采用等离子增强型ALD技术在硅片上制备AlN薄膜,并测试分析了薄膜的成分和表面平整度,满足工艺要求.
原子层沉积、前驱体、电流崩塌
45
TN451(微电子学、集成电路(IC))
2016-04-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
19-23