单晶硅磨削加工后的表面损伤研究

摘要：

为了了解硅片在磨削过程中的去除机理,采用显微光谱仪来探查磨削后表面的相变情况.结果可以发现精磨削后硅片表面存在-Si相、Si-相、Si-相和Si-相,这表明磨削过程中Si-相发生了高压相变,Si-相在磨削过程中容易以塑性方式去除.而粗磨硅片表面没有生成明显的多晶硅,只有少量硅以非晶形式出现,并在后续精磨过程中逐渐转变.由此可以看出粗磨硅片表面层损伤由大量的形状复杂的微裂纹、高密度位错、层错及弹性畸变层组成,其中以微裂纹、位错及层错为主 .

关键词：单晶硅、磨削加工、表面损伤

所属期刊栏目：44

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2015-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：31-34