SiC晶片倒角技术研究

摘要：

讨论了碳化硅晶片的倒角工艺,主要包括晶片边缘倒角的基本原理,晶片倒角的目的以及晶片边缘粗糙度的影响.采用500#磨料粒度的砂轮对碳化硅晶片进行边缘研磨,分析讨论了切入量、砂轮转速、吸盘转速等参数的影响.切入量、吸盘转速越大,晶片边缘质量越差,崩边数也越多,砂轮转速越大,晶片质量越好.通过实验数据,我们还当选用500#的砂轮时,切入量在100 μm左右、砂轮转速在2 500 m/min左右、吸盘转速在6mm/s左右较为合适.

关键词：碳化硅晶片、切入量、砂轮转速、吸盘转速

所属期刊栏目：44

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2015-11-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：16-18,27