大直径重掺硼硅单晶生长工艺研究

摘要：

在CG6000型单晶炉上,开展了硼掺杂浓度8×1019 cm-3以上的150 mm(6英寸)硅单晶生长试验.通过对热场和生长工艺进行优化,抑制了重掺硼硅单晶拉制过程中的严重组分过冷,成功拉制出了电阻率1.5×10-3 Ω.cm以下的无位错重掺硼硅单晶,并对单晶拉制过程中的一些工艺参数设定进行了分析和探讨,提高了该类硅单晶生长的效率和成品率.

关键词：大直径重掺硼硅单晶、热场改造、工艺参数改进、组分过冷

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.053(半导体技术)

在线出版日期：2015-09-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：5-9,29