期刊专题

10.3969/j.issn.1004-4507.2015.07.006

硅微波BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析

引用
介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理.建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对PtSi的影响.结果表明:RIE干法刻蚀在接触孔局部诱发Si损伤,接触孔侧壁角度减小导致参与合金的Pt总量增加,部分Pt沿此通道穿透发射结进入中性基区形成深能级陷阱,在高反偏集电极-发射极电压VCE作用下进入扩展的集电结空间电荷区,增加了空间电荷区电子-空穴对的产生率和集电结反偏电流I∞,形成快速增大的集电极-发射极漏电流ICEO,导致芯片失效.

硅微波双极晶体管、介质击穿/隧穿、等离子体充电效应、等离子体损伤、PtSi合金

44

TN305;TN405(半导体技术)

2015-10-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

18-22

暂无封面信息
查看本期封面目录

电子工业专用设备

1004-4507

62-1077/TN

44

2015,44(7)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn