直拉法单晶硅生长的数值模拟和控制参数优化

摘要：

采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长直径210 mm的硅单晶热场进行了模拟.后继加热器提高了晶体生长界面中心高度,对熔体温度梯度基本没有影响;热屏能改善晶体生长界面形状,使界面更加平滑,降低界面中心高度,并能降低熔体纵向温度梯度,得到更好的温度分布.

关键词：数值模拟、单层热屏、加强型热屏、后继加热器

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.053(半导体技术)

在线出版日期：2015-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：13-17