GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制

摘要：

分析了GaN-M OCVD 设备中M O 源注入摩尔流量控制的基本原理,给出了决定M O 源注入摩尔流量的三个重要条件,然后针对于GaN-M OCVD 中5 种常用的金属有机源,根据工艺生长的需要,分别给出了MO 源注入摩尔流量精确控制的解决方案.

关键词：半导体设备、GaN-金属有机化学气相沉积、金属有机化合物源、注入摩尔流量

分类号：TN305.3(半导体技术)

在线出版日期：2015-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：31-35