面向高速应用的GaN基HEMT器件

摘要：

工作在毫米波、亚毫米波频段的固态功率放大器可广泛应用于无线通信、汽车雷达等电子系统。氮化物材料具备禁带宽度大、电子速度高等特点，使得GaN 基HEM T 器件成为面向高频器件和高速数字电路等高速应用的理想候选器件。但是为实现更佳的器件指标，仍需要进行多层次的设计和优化。重点讨论了面向高速应用的GaN 基器件所面临的挑战，如载流子限域性、电子速度以及在等比例缩小规律下的导通电阻等问题。分析表明，这些问题的解决将使GaN 基器件在高速、高频等领域得到广泛应用。

关键词：GaN 基HEMT、高速应用、载流子限域性、电子速度、导通电阻

分类号：TN721(基本电子电路)

在线出版日期：2015-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-6,25