硅抛光片表面疏水改性工艺研究

摘要：

采用稀释HF溶液对亲水性的硅抛光片表面进行了疏水改性,并对HF腐蚀硅片表面氧化层、钝化表面的机理进行了分析.研究了HF溶液浓度和反应时间对硅抛光片表面颗粒度和接触角的影响,通过对比分析,得到了HF溶液疏水改性的最佳浓度和最佳反应时间,HF体积比为3％,反应时间为120 s时,HF能够与样品表面充分反应,并且二次吸附颗粒数量最少.采用兆声溢流方式可以大大减少样品表面吸附颗粒数量,而不影响疏水性能.

关键词：疏水改性、接触角、颗粒度、兆声溢流

所属期刊栏目：43

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2014-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：13-17,21