浅谈MOSFET产品失效分析及改善措施

摘要：

阐述了MOSFET产品的应用前景,说明了其封装工艺流程及注意事项,通过对MOSFET电路常见失效现象的分析验证,探讨MOSFET产品的失效机理及其影响,对相应的失效现象制定合理的失效分析方案,确保有效查找失效的具体原因,并对失效原因从设计、工艺和材料选用等方面提出改善措施.

关键词：场效应管、失效分析、改善措施

所属期刊栏目：42

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-28,49