硅片背面软损伤工艺技术研究

摘要：

硅中的金属离子杂质会明显降低少子寿命,并进一步影响硅器件的性能.因此对硅片背面喷砂工艺进行了系统的研究.通过喷砂工艺,在硅片背面形成软损伤层,使硅片具有了吸杂能力,并从吸杂机理出发,解决了吸杂工艺带来的硅抛光片表面颗粒效应,并对硅抛光片的吸杂效果及表面颗粒度进行了表征,为具有吸杂性能的“开盒即用”硅抛光片的批量化生产提供了有力的技术保证.

关键词：喷砂工艺、硅片软损伤吸杂、颗粒去除、金属

所属期刊栏目：42

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2014-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：12-18