线切割硅片表面探究

摘要：

硅片的表面损伤层,关系到切割后破片率及面的形状等.通过对硅片表面分析,发现硅片表面呈蜂窝状,有大孔、小孔和微孔.硅片侧面边缘呈山峰山沟状,并伴随有裂纹,从外向里分为表面镶嵌层和缺陷应力层.通过对硅片表面损伤的形成机理研究,发现通过以下调整可以减小表面损伤和提高表面质量:一是减小切割时的晶体所受到的垂直压力;二是调整碳化硅的直径分布系数,圆度系数,堆积密度.

关键词：损伤层、硅片、破片率、SIC砂

所属期刊栏目：42

分类号：TN305.1(半导体技术)

在线出版日期：2014-02-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：6-8